1.中心原子相同(比較SbCl3、SbBr3、SbI3的鍵角大小)
當周圍原子的電負度提高,拉走中心電子朝向自己。
電負度最大的Cl,拉走和中心原子的共用電子,使本身的電荷密度上升。
使得Sb上的孤對電子,對其有最大排斥力,壓縮鍵角。
周圍原子電負度越大⇒拉走越多電子⇒中心原子孤對電子壓縮越大⇒鍵角越小
2.中心原子不同(比較PI3、AsI3、SbI3的鍵角大小)
當中心原子的電負度提高,拉走周圍電子朝向自己。
電負度最大的P,拉走和I的共用電子,使電子靠近自己。
中心原子電荷密度上升。電子間互相排斥,造成鍵角變大。
電負度最大的P,拉走最多和碘之間電子,使得斥力最大,鍵角最大。
中心原子電負度越大⇒拉走越多電子⇒電子間互相排斥⇒鍵角越大