創見PCIe SSD 220S 512GB評測
(素材取自創見官網)
部分介紹和說明可以參考筆者的MTE-110S評測文
https://www.ptt.cc/bbs/PC_Shopping/M.1537424060.A.E8F.html
在2019 Q1的時候NVMe SSD已經幾乎是白菜價了
在裝機時如果預算充足那不配個NVMe SSD都不好意思惹
當然市場也隨著新技術的推出而不斷在變化
2-bit MLC幾乎快phase out了，而3D TLC NAND已是市場主流
甚至QLC NAND和次世代產品也已在試水溫了(e.g. 3D XPoint)
性能部分也當然有不斷提升，循序讀超過3GB/s的怪物級產品也不斷出現
而創見去年的PCIe SSD 110S(MTE-110S)明顯不算旗艦NVMe方案
實際更像是落在SATA 6Gb/s與主流PCIe 3.0 x4之間的產品
甚至對創見自家來說它更像過渡用的產品，畢竟創見沒有出SM2262的SSD
而且更前代MTE-820/850的SM2260也總比SM2263XT的規格還要好
雖然SMI試圖以PCIe 3.0 x4和HMB讓SM2263XT取得甜蜜點
但面對螃蟹主控和Phison E8的夾擊下這場硬仗算難打，畢竟同級對手實在太多了
好在創見今年初終於推出稱得上旗艦的PCIe SSD 220S(MTE-220S)來取代MTE-110S
主控升級後有外置大容量DRAM的加持，通道數也是MTE-110S的兩倍
不過當然還是要測測才能知道表現到底差多少囉~
這次來點不同的介紹方法，請點圖看PPT說明
外包裝已改為像SD卡包裝的完全一次性設計，配有可展示的掛勾
(創見的SSD以後都會改成這種包裝了，據說花了兩年時間做準備)
值得一提的是包裝上有標榜”With DRAM Cache”
猜測要和110S做區別或是配合”SSD要選外置DRAM的主控”這種選購趨勢
(當然只看這點並不是正確的觀念)
背面這次將安裝方式和產品細節完全都省略掉了，僅留下一個QR碼
QR碼是連到https://tw.transcend-info.com/product/ssd?ipcheck=1
這邊會建議創見至少像MTE-110S那樣提供產品的基本資訊
再將”產品頁面”的連結放在QR碼中而非”產品型錄”
倒是內層有一些保固須知等資訊
新包裝也沒有附上Mac SSD解決方案和保固須知了
SSD本體採用M.2 2280 M key設計
主控是SMI SM2262EN，比SM2263系列大了不少
因此只能在正面塞兩顆NAND Flash加一顆DRAM
NAND Flash為創見自封顆粒，已改成像DRAM那樣還加上創見logo了
為避免性能受到主控過熱的影響，筆者有撕下型號貼紙並加上了陽春款M.2散熱片
(導熱介質為1.5mm厚的Arctic Cooling Thermal Pad)
測試平台
NVMe規範的標準SMART資訊就那15項
不再有AHCI時代廠商特規無法辨識或各種奇葩定義(如三星OEM SSD)的情況
AS SSD Benchmark(對高速的NVMe SSD已經測不準了，請改用CDM)
現在官標性能幾乎都是CrystalDiskMark 6.0.1測出來的
Anvil’s Storage Benchmark
TxBENCH
快餐測試的表現相當不錯
循序讀高達3.5GB/s就是一個爽字，這得要七顆SATA SSD做RAID 0才有辦法超越
這也是為何不建議再玩SATA SSD RAID 0的理由之一:NVMe SSD才是終極性能方案
但畢竟是512GB款，循序寫入就只到2.1GB/s(要到1TB款才有2.8GB/s的實力)
PC Mark 8 Storage測試
在PC Mark 8表現有超過5070分，可別小看幾十分的進步
對於輕度使用性能逐漸飽和的NAND SSD來說已算是相當難得的了
(相較於MTE-110S 512GB來說當然是大勝)
Iometer進階測試(請點圖看PPT說明)
循序混合讀寫性能表現
隨機混合讀寫性能表現
SLC Cache測試
從上面的圖表可以看到SLC Cache的策略:
(a.)一開始全速在SLC Cache中寫入(SLC Cache容量約77GB)
(b.)破SLC Cache後的TLC直寫速度~430MB/s，不急著先釋放SLC Cache
(c.)寫完全碟容量(SLC Cache容量*3+TLC直寫容量)
進入GC+釋放SLC Cache+寫入的狀態
此時主控和內部通道的壓力大幅增加，速度僅剩下~260MB/s
(d.)SLC Cache釋放完畢，專心邊GC邊寫入即可
回到一般TLC直寫速度(~430MB/s)
每隔一次全碟容量(476.93GB)後寫入速度就噴一次
對比一下MTE-110S就能看出方案的差異實在影響很大
總結：
可以放心的說MTE-220S是目前創見的真旗艦XD
MTE-110S明顯不是MTE-220S的對手
尤其4KB混合讀寫的QD趨勢可說是打得讓前者哭著找媽媽
再來也歸功於更強的主控，循序128KB混合讀寫有一定幅度的增長
(有趣的是在QD2依舊有微微下跌)
MTE-220S在SLC Cache策略捨棄掉相對激進的全碟SLC Cache做法
加上更佳的主控配置也使寫爆SLC Cache後的寫入性能穩定許多
這邊倒也可以看出SM2262EN更偏向爆發性能的調校
甚至CrystalDiskMark的4KB QD1隨機讀超過60MB/s了
至於售價呢? 看下圖就對了
筆者猜各大電商上架後應會有再划算一點的價格
這樣的定價是很有競爭力的，甚至512GB以上已經比SX8200 Pro還便宜
(近期開賣來總比沒有好，畢竟SX8200 Pro這同級對手已經爽賣快要半年了)
只是會建議創見盯緊非台廠方案的性能級產品如Plextor M9Pe和WD Black 2018
這類產品往往有自家調校的韌體，高壓下的性能表現也比台系方案還要強悍
甚至M9Pe有時會出現驚人的下殺價位(如前幾天的割喉跳水價)
對惹，對比PHISON的同級產品PS5012-E12也有一小截價格優勢
創見等廠商也提供五年保又贏了一小截
最後這邊就來個正確的press release
https://tw.transcend-info.com/About/press/11528
可以看到新聞就是一家亂寫其它亂抄的現象(笑)
Pros:
混合讀寫性能比上一代產品優秀
有繼續榨出PCMark 8的分數
售價誘人、五年保和台灣生產
Cons:
無
中性，雞蛋裡挑骨頭(非缺點):
身為自家的旗艦定位，對prosumer來說還是希望能見到原廠正片顆粒
(雖然是自家封裝的good die)
(素材取自創見官網)
部分介紹和說明可以參考筆者的MTE-110S評測文
https://www.ptt.cc/bbs/PC_Shopping/M.1537424060.A.E8F.html
在2019 Q1的時候NVMe SSD已經幾乎是白菜價了
在裝機時如果預算充足那不配個NVMe SSD都不好意思惹
當然市場也隨著新技術的推出而不斷在變化
2-bit MLC幾乎快phase out了，而3D TLC NAND已是市場主流
甚至QLC NAND和次世代產品也已在試水溫了(e.g. 3D XPoint)
性能部分也當然有不斷提升，循序讀超過3GB/s的怪物級產品也不斷出現
而創見去年的PCIe SSD 110S(MTE-110S)明顯不算旗艦NVMe方案
實際更像是落在SATA 6Gb/s與主流PCIe 3.0 x4之間的產品
甚至對創見自家來說它更像過渡用的產品，畢竟創見沒有出SM2262的SSD
而且更前代MTE-820/850的SM2260也總比SM2263XT的規格還要好
雖然SMI試圖以PCIe 3.0 x4和HMB讓SM2263XT取得甜蜜點
但面對螃蟹主控和Phison E8的夾擊下這場硬仗算難打，畢竟同級對手實在太多了
好在創見今年初終於推出稱得上旗艦的PCIe SSD 220S(MTE-220S)來取代MTE-110S
主控升級後有外置大容量DRAM的加持，通道數也是MTE-110S的兩倍
不過當然還是要測測才能知道表現到底差多少囉~
這次來點不同的介紹方法，請點圖看PPT說明
外包裝已改為像SD卡包裝的完全一次性設計，配有可展示的掛勾
(創見的SSD以後都會改成這種包裝了，據說花了兩年時間做準備)
值得一提的是包裝上有標榜”With DRAM Cache”
猜測要和110S做區別或是配合”SSD要選外置DRAM的主控”這種選購趨勢
(當然只看這點並不是正確的觀念)
背面這次將安裝方式和產品細節完全都省略掉了，僅留下一個QR碼
QR碼是連到https://tw.transcend-info.com/product/ssd?ipcheck=1
這邊會建議創見至少像MTE-110S那樣提供產品的基本資訊
再將”產品頁面”的連結放在QR碼中而非”產品型錄”
倒是內層有一些保固須知等資訊
新包裝也沒有附上Mac SSD解決方案和保固須知了
SSD本體採用M.2 2280 M key設計
主控是SMI SM2262EN，比SM2263系列大了不少
因此只能在正面塞兩顆NAND Flash加一顆DRAM
為避免性能受到主控過熱的影響，筆者有撕下型號貼紙並加上了陽春款M.2散熱片
(導熱介質為1.5mm厚的Arctic Cooling Thermal Pad)
測試平台
NVMe規範的標準SMART資訊就那15項
不再有AHCI時代廠商特規無法辨識或各種奇葩定義(如三星OEM SSD)的情況
AS SSD Benchmark(對高速的NVMe SSD已經測不準了，請改用CDM)
現在官標性能幾乎都是CrystalDiskMark 6.0.1測出來的
Anvil’s Storage Benchmark
TxBENCH
快餐測試的表現相當不錯
循序讀高達3.5GB/s就是一個爽字，這得要七顆SATA SSD做RAID 0才有辦法超越
這也是為何不建議再玩SATA SSD RAID 0的理由之一:NVMe SSD才是終極性能方案
但畢竟是512GB款，循序寫入就只到2.1GB/s(要到1TB款才有2.8GB/s的實力)
PC Mark 8 Storage測試
在PC Mark 8表現有超過5070分，可別小看幾十分的進步
對於輕度使用性能逐漸飽和的NAND SSD來說已算是相當難得的了
(相較於MTE-110S 512GB來說當然是大勝)
Iometer進階測試(請點圖看PPT說明)
循序混合讀寫性能表現
隨機混合讀寫性能表現
SLC Cache測試
從上面的圖表可以看到SLC Cache的策略:
(a.)一開始全速在SLC Cache中寫入(SLC Cache容量約77GB)
(b.)破SLC Cache後的TLC直寫速度~430MB/s，不急著先釋放SLC Cache
(c.)寫完全碟容量(SLC Cache容量*3+TLC直寫容量)
進入GC+釋放SLC Cache+寫入的狀態
此時主控和內部通道的壓力大幅增加，速度僅剩下~260MB/s
(d.)SLC Cache釋放完畢，專心邊GC邊寫入即可
回到一般TLC直寫速度(~430MB/s)
每隔一次全碟容量(476.93GB)後寫入速度就噴一次
對比一下MTE-110S就能看出方案的差異實在影響很大
總結：
可以放心的說MTE-220S是目前創見的真旗艦XD
MTE-110S明顯不是MTE-220S的對手
尤其4KB混合讀寫的QD趨勢可說是打得讓前者哭著找媽媽
再來也歸功於更強的主控，循序128KB混合讀寫有一定幅度的增長
(有趣的是在QD2依舊有微微下跌)
MTE-220S在SLC Cache策略捨棄掉相對激進的全碟SLC Cache做法
加上更佳的主控配置也使寫爆SLC Cache後的寫入性能穩定許多
這邊倒也可以看出SM2262EN更偏向爆發性能的調校
甚至CrystalDiskMark的4KB QD1隨機讀超過60MB/s了
至於售價呢? 看下圖就對了
筆者猜各大電商上架後應會有再划算一點的價格
這樣的定價是很有競爭力的，甚至512GB以上已經比SX8200 Pro還便宜
(近期開賣來總比沒有好，畢竟SX8200 Pro這同級對手已經爽賣快要半年了)
只是會建議創見盯緊非台廠方案的性能級產品如Plextor M9Pe和WD Black 2018
這類產品往往有自家調校的韌體，高壓下的性能表現也比台系方案還要強悍
甚至M9Pe有時會出現驚人的下殺價位(如前幾天的割喉跳水價)
對惹，對比PHISON的同級產品PS5012-E12也有一小截價格優勢
創見等廠商也提供五年保又贏了一小截
最後這邊就來個正確的press release
https://tw.transcend-info.com/About/press/11528
可以看到新聞就是一家亂寫其它亂抄的現象(笑)
Pros:
混合讀寫性能比上一代產品優秀
有繼續榨出PCMark 8的分數
售價誘人、五年保和台灣生產
Cons:
無
中性，雞蛋裡挑骨頭(非缺點):
身為自家的旗艦定位，對prosumer來說還是希望能見到原廠正片顆粒
(雖然是自家封裝的good die)
