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DS卡匣內部構造說明&遊戲記錄儲存關聯

作者:DXS2021│2008-03-13 12:41:39│贊助:10│人氣:2576
DS卡匣內部構造說明&遊戲記錄儲存關聯:

NDS卡帶記錄所使用的記憶媒介主要分三種:

FLASH(快閃記憶體)
EEPROM(可電除且可程式唯讀記憶體)
FRAM(鐵電記憶體,又稱為FERAN、SRAN-F...)
詳細說明可參考http://www7.masterlink.com.tw/z/zh/zhb/zhb_23160.asp.htm

NDS卡帶分解圖
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/1202/ds25.jpg
圖片來源
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/1202/nintendo.htm

圖片中卡帶內最大的CHIP就是MASK ROM,也是遊戲資料所在,共有44隻接腳(※1)。上方小型的CHIP則是EEPROM(型號M95640)。只有MASK ROM而無其他CHIP就是無記錄功能(※2)

※1:
MASK ROM的外觀視製造廠商會有所差別,圖片中MASK ROM為Matrix Semiconductor公司製造。但在2005年10月被SanDisk社收購之後,就多改為SanDisk製的CHIP,共32隻接腳
※2:
無記錄功能的遊戲除體驗板及試玩版外,就個人所知僅有エレクトロプランクトン
http://electroplankton.com/

由於NDS卡帶使用的基板極為多樣,所使用的記憶CHIP也是相當多種,外觀上難以區別。因此主要是看CHIP上註明的CHIP型號。也可以從SAVE時間長短分出不同,FRAM的SAVE時間短,FLASH和EEPROM的SAVE時間長

至於為什麼FLASH和EEPROM的覆寫時間長,是因為這兩種記憶體在覆寫時是照區塊逐漸覆寫的(※3),所以有些遊戲在記錄時會以棒狀顯示覆寫進度。假如在覆寫中斷電,資料出問題導致無法正常讀取的機率接近100%。因此部份遊戲(※4)採取了二重區塊的記錄方式,將資料分為A記錄區和B記錄區,即使記錄時斷電也不會有太大影響。建議遊戲剛入手時就測試一下記錄時是否採取二重區塊,這樣玩起來也比較放心

※3:
覆寫時會使用較高的電力,電力不足時很可能記錄到一半斷電。因此記錄時建議確保電力足夠再進行記錄動作
※4:多為任天堂本社和SQUARE ENIX社的遊戲

記憶體性能:

EEPROM:
EEPROM是使用電氣來寫入或抹除資料,記憶可無限期保留,但SAVE次數有所限制,通常為1萬次到10萬次(※5);也有號稱1百萬次的,不過實際上幾乎都達不到這個數字。

FLASH:
跟EEPROM同樣使用電氣來寫入或抹除資料,記憶也可無限期保留,SAVE次數較EEPROM為高,基本值就有10萬次以上,也較耐衝擊

FRAM:
具有無限次擦寫、讀寫速度較快(為FLASH的10倍以上)及耗電量較低(為EEPROM的1/400)的優點,但目前可儲存容量比起EEPROM及FLASH較低。且礙於尺寸及成本等問題,目前較少使用

※5:
這個數值隨科技的進步正不斷提升中,這裡的數值僅為參考。

至於遊戲會採取哪種記憶體作為儲存媒介,主要跟遊戲特性有關。像那種會隨時自動記錄的遊戲(※6),由於記錄次數高,如果使用FLASH或EEPROM作為儲存媒介,可能玩到一半就掛了,再者覆寫時間又長,所以才會選擇SRAM(SRAM基於電池尺寸塞不進卡帶的緣故,NDS並無法使用)或FRAM作為媒介

※6:
以部分SLG及迷宮探險為主,目的是提升遊戲難度。避免玩家使用SAVE/LOAD大法(重複讀取)來獲得較好的結果。如獲得隨機道具前先記錄,重複讀取直到自己想要的道具出現為止。

以迷宮探險來講,行動一次(獲得道具、踩到陷阱等)記一次錄,走一層樓就要記錄三、四十次,一個關卡平均約10層樓,有些遊戲甚至有99層或無限層的;遊戲中少說有10個關卡,再加上重複練功,玩一輪記錄次數就近兩萬。

SLG方面,一樣動作一次(戰鬥、移動、回合變換等)就會自動紀錄一次,假設一場關卡我方平均出場10人,對方出場20~30人,要戰鬥3次才能打倒對方一個敵人,一話平均15回合,打下來大約要記錄200~600次,而遊戲長度假如有50關,那就是1萬~3萬。重複練功或衝第二輪記錄次數更是可觀。以GBA的FE封印(使用SRAN)來講,要衝11輪才拿得到所有隱藏角色,再加上烈火的特別篇,也就是12輪,記錄次數12萬次~36萬次。再操的FLASH或EEPROM也要報廢。

相對的,以一般不必隨時記錄的遊戲來言,使用EEPROM和FLASH就足以應付遊戲的記錄需求。且EEPROM和FLASH具有價格低廉、尺寸適宜等優點,而且即使每天記錄50次,一年365天下來才18250次,玩個5年紀錄也不會消失,資料可保存期間極長。這也是為什麼目前NDS的遊戲大多使用EEPROM和FLASH作為記憶媒介的緣故
引用網址:https://home.gamer.com.tw/TrackBack.php?sn=374462
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留言共 1 篇留言

黃金閃光
所以說上述DS這三種記憶體都不用擔心會像GBA一樣記憶消失囉?!

12-08 18:49

DXS2021
除非你記錄中斷電或卡匣電路損壞XD12-08 19:27
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