有鑑於電應版近來許多板友買了記憶體不曉得如何設定以及分辨記憶體規格，我把手邊已知的資訊跟大家大概說一下，如果有不足的地方可以請各位巴友幫忙補充有利於大家爬文。
記憶體先不用管DDR、DDR2、DDR3，我們只要以時脈(CLOCK)、時序(TIMING)兩項就可以訂出記憶體效能高低。
常常看到人家說該組記憶體規格是 1600 9-9-9-24，前面的1600就是記憶體的時脈、後面的9-9-9-24就是記憶體的時序。
這兩者之間有甚麼不同呢?
時脈標示1600的記憶體即為1600MHZ(每秒跑1600百萬次)
那後面的時序呢?
9-9-9-24就是依序為記憶體的tCAS、tRCD、tRP、tRAS
1.tCAS（Column Address Select）：列位址送出，到資料取得之間的時間。
2.tRCD（RAS to CAS Delay）：送出行位址之後，到送出列位址之間的時間。
3.tRP（RAS Precharge）：關閉一行，到重新啟動另一行之間的時間。
4.tRAS（Row Address Select）：啟動一行需要的時間。
最前面的tCAS就是CL值，因為CPU跟記憶體要資料在同列時都是看這個時序，這個數字越小則代表記憶體與CPU溝通的週期越快。
其實簡單來說時序就是代表每執行一次資料存取動作之後要多久的時間才會做下一次的存取而時脈就是開始做存取動作時傳輸資料的速度有多快，所以兩者是相輔相成。
我們把數字放大來看會比較清楚
A記憶體是時脈3秒、時序2秒
B記憶體是時脈5秒、時序1秒
A記憶體從開始做存取到資料傳輸完畢的時間總共為5秒，B記憶體則是6秒，所以時序較鬆的記憶體也可以依時脈較高來達到一個較好的效能。
再來就是要讓你知道自己的記憶體顆粒是否為你買的原生時脈或者是低時脈OC之後的顆粒
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這是我自己的G.SKILL記憶體的SPD資訊，可以很清楚看到顆粒封裝型號為PC3-12800(800MHZ)，因為這條記憶體是雙面顆粒所以就要把時脈X2也就是1600，所以我這條記憶體為SPD1600顆粒OC上2133販賣，記憶體型號就是F3-17000CL11-4GBXL。
如果購買的記憶體為1600而SPD資訊顯示為800MHZ那該記憶體就是原生1600顆粒。
以下就開始教你怎樣對記憶體超頻，不過超頻並非廠商可以認同的使用方法，所以因為超頻造成記憶體損壞可能會無法按造當初購買時廠商給消費者的保固條款走，得自行負擔風險，如果可以自行承擔風險的話再繼續往下看......
前面知道記憶體規格代表的意義之後大概可以了解，時序數字越小『緊』效能越好、時脈數字越高效能越好，所以記憶體超頻最理想的狀態就是時序調緊、時脈拉高。
目前主流平台為INTEL的1155腳位跟AMD的AM3、AM3+，前者的1155腳位要對記憶體超頻大多僅能直接在BIOS裡面選擇不同的XMP檔案，目前INTEL的XMP規範共有1066、1333、1600、1866、2133、2400、2800這幾種，簡單來說就是直接選擇時脈之後做時序、電壓調整來可穩定使用的參數。
EX : 有一條1600 9-9-9-24 1.5V的記憶體，要拉上1866使用的話先保持原時序直接設定為1866，如無法穩定使用則先從電壓調整開始，一次加0.05V，安全範圍值為1.75V，如果到了1.75V還是無法穩定使用就放鬆時序。
前面有提到最前面的CL值是最重要的所以從後面三個先放鬆真的都無法穩定使用再去動CL時序。
目前的1155腳位記憶體OC方法大概就是這樣，算是很傻瓜化了。
AMD的AM3、AM3+平台則是倍頻、外頻皆可更動，所以記憶體時脈的選擇性比INTEL的1155腳位平台更多，但是礙於拉外頻的話HT時脈也會跟著變動，如果HT時脈高於預設值可能會發生系統不穩定的情況，這時我們就得做『除頻』的動作。
這是AMD X4-965的CPU-Z，MULTIPLIER為倍頻、BUS SPEED為外頻、HT LINK就是前面說到的HT，假設今天使用的記憶體是1600，外頻200下顆粒時脈為800，除頻比為4:1，除頻比不變拉外頻到240，顆粒時脈就會變成960，記憶體速度則是1920。
如果無法穩跑1920那就在顆粒時脈、除頻比之間調整讓記憶體速度可以跑跟1600差不多或者更高且能穩定使用的參數。
HT則是以外頻X倍數10，所以外頻拉到240就變成240X10=2400，2400在高於預設值的情況下可能會無法穩定使用，所以就要把倍數降低讓HT速度接近預設的2000提高穩定度。
以上參數變化都可在BIOS裡面做更動，當然礙於各家BIOS參數不盡相同這可能就得自己去抓除頻比以及倍頻、外頻之間的參數。
AMD部分因為我X4-965平台在去年6月份就已經送給親戚用了，所以印象有些模糊，如果說得不好或者錯誤的地方可以幫忙補充跟指正。
創作內容
教你認識記憶體規格以及如何超頻
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